
SiC

GaN
离子注入设备IH-860搭载了高温ESC,是一款SiC量产用高能量离子注入设备。

主要特点
• 广泛应用于SiC市场。
• 高能离子植入器。
- 400KeV
- 800KeV
- 1200KeV
• 双压板。双压板:有两个压板,晶圆可加载的两个压板,可实现高温冷却植入。
主要应用:

SiC

GaN
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