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等离子化学气相沉积设备
工艺介绍：等离子化学气相沉积设备
设 备：PECVD
型 号：CC-200Cz
代表器件/工艺制程：Vox(IR sensor)制造工艺
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市场价
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浏览量:
1000
产品编号
CC-200Cz
所属分类
半导体制造设备
数量
-
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产品详细
参数
在真空条件下，通过射频放电，让气体活化发生化学反应，在基板表面沉积形成薄膜。成膜种类：SiO2，SiNx ，SiON。等离子增强型，膜质好，均匀性高，Load-lock，托盘式，多基板尺寸，2inch-8inch 兼容。
主要特点
• 等离子增强型化学气相沉积设备
• 用于SiO2,SiN的高精度薄膜沉积
• 膜层应力稳定,可调范围广泛
• 可换托盘式,基板尺寸切换简便
• 2～12inch,方片,未定型片完美兼容
主要应用：
上一个
无
下一个
NLD-5700 干法刻蚀设备
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